Angebote zu "Gaas" (4 Treffer)

Kategorien

Shops

OP 133 - Infrarot-Diode, GaAs, 935 nm, 18°, TO-46
3,07 € *
zzgl. 5,80 € Versand

Hermetische Infrarot-Emittierende DiodeBeschreibungBei jedem Baustein der Serie OP130 handelt es sich um eine 935 nm Galliumarsenid (GaAs)-Infrarot-LED, die in einem hermetisch abgedichteten TO-46-Gehäuse montiert ist, das einen erweiterten Temperaturbereich mit einer Vielzahl von Leistungsbereichen bietet. Das TO-46-Gehäuse bietet außerdem eine hohe Verlustleistung und hervorragenden Schutz für feindliche Umgebungen. Jeder OP130-Baustein hat einen schmalen Strahl mit einem Einschlusswinkel bei halben Leistungspunkten von 18°. Diese Bauelemente sind für den effizienten Betrieb mit OP800, OP593, OP598 und OP599 Fototransistoren oder dem OP830 Photodarlington ausgelegt.Merkmale• TO-46 hermetisch versiegelte Gehäuse• Fokussiertes und nicht fokussiertes optisches Lichtmuster• Erweiterter Temperaturbereich• Mechanisch und spektral an andere OPTEK-Geräte angepasstAnwendungen:• Berührungsloser Sensor für reflektierende Objekte• Automatisierung der Montagelinie• Automatisierung von Maschinen• Sicherheit von Maschinen• Endlagensensor• Türsensor

Anbieter: reichelt elektronik
Stand: 23.10.2020
Zum Angebot
SEP 8706-003 - Infrarot-Diode, GaAlAs, 880 nm, ...
1,41 € *
zzgl. 5,80 € Versand

Die SEP8706-Serie besteht aus einer Aluminiumgalliumarsenid-Diode mit Infrarot-Lichtausgabe, die in ein graues Kunststoffgehäuse mit seitlichem Lichtaustritt spritzgepresst ist. Der Chip wird so positioniert, dass er eine Strahlung durch eine Kunststofflinse von der Seite des Gehäuses abgeben kann. Diese Geräte besitzen in der Regel eine um 70 % höhere Leistungsintensität als Galliumarsenid-Komponenten beim gleichen Durchlassstrom.• Seitlich ausgerichtetes Kunststoffgehäuse• Abstrahlwinkel von 50 ° (nominal)• Wellenlänge 880 nm• Höhere Ausgangsleistung als GaAs bei äquivalenten Antriebsströmen• Mechanisch und spektral an Phototransistor SDP8406, Photodarlington SDP8106 und Schmitt-Auslöser SDP8000/8600 angepasstTechnische Produktdaten:Produkttyp: IR-KomponenteLeistungsabgabe: 0,65 mW/cm² minAbstrahlwinkel (Grad): 50Pakettyp: Abstrahlung an der SeiteGehäusekomponenten: KunststoffDurchlassstrom: 20 mADurchlass-Dauerstrom: 50 mADurchlassspannung: 1,7 VUmgekehrte Durchschlagspannung: 3 VAusgangswellenlänge: 880 nmSpektrale Bandbreite: 80 nmSpektrale Verschiebung mit Temperatur: 0,2 nm/°CAnstiegs- und Abfallzeit: 0,7 µsVerlustleistung: 100 mWBetriebstemperatur: -40 ... +85 °C

Anbieter: reichelt elektronik
Stand: 23.10.2020
Zum Angebot
SE 3470-003 - Infrarotdiode, 880 nm, 20°, TO-46...
4,97 € *
zzgl. 5,80 € Versand

Die SE3470/5470-Serie besteht aus einer Aluminiumgalliumarsenid-Diode mit Infrarot-Lichtausgabe, die in einem Gehäuse mit Metallbehälter TO-46 montiert ist. Die SE3470-Serie besteht aus Behälter mit flachem Fenster, die einen großen Abstrahlwinkel bieten, während die SE5470-Serie aus Behälter mit Glaslinsen besteht, die einen kleinen Abstrahlwinkel bieten. Diese Geräte besitzen in der Regel eine um 70 % höhere Leistungsabgabe als Galliumarsenid-Geräte beim gleichen Durchlassstrom. Die TO-46-Gehäuse bieten eine hohe Verlustleistung und eignen sich ideal für den Einsatz in aggressiven Umgebungen.• Gehäuse mit Metallbehälter TO-46• Wahl zwischen Gehäuse mit flachem Fenster oder mit Glaslinsen• Abstrahlwinkeloption 90 ° oder 20 ° (nominal)• Wellenlänge 880 nm• Höhere Ausgangsleistung als GaAs bei äquivalenten Antriebsströmen• Großer Betriebstemperaturbereich [-55 °C bis 125 °C]• Ideal für Anwendungen mit hoch gepulsten Strömen• Mechanisch und spektral an Photodiode SD3421/5421, Phototransistor SD3443/5443/5491, Photodarlington SD3410/5410 und Schmitt-Auslöser SD5600 angepasstTechnische Produktdaten:Produkttyp: IR-KomponenteLeistungsabgabe: 10,5 mW minAbstrahlwinkel (Grad): 90Pakettyp: T0-46, flaches FensterDurchlassstrom: 100 mADurchlass-Dauerstrom: 100 mADurchlassspannung: 1,9 VUmgekehrte Durchschlagspannung: 3 VAusgangswellenlänge: 880 nmSpektrale Bandbreite: 80 nmSpektrale Verschiebung mit Temperatur: 0,2 nm/°CAnstiegs- und Abfallzeit: 0,7 µsVerlustleistung: 150 mWBetriebstemperatur: -55 ... +125 °C

Anbieter: reichelt elektronik
Stand: 23.10.2020
Zum Angebot